他们通过加热碳化硅，通过加热单晶6H-SiC（六方碳化硅）脱除Si，然后在单晶碳面上分解出石墨烯片层。
具体制造方式是将经氧气或氢气刻蚀处理得到的样品在高真空下通过电子轰击加热，除去氧化物。
然后用俄歇电子能谱确定表面的氧化物完全被移除后，将样品加热使之度升高至1250~1450℃后保持二十分钟，从而形成极薄的石墨层，最后通过微机械剥离法得到石墨烯层。
这样制得的石墨烯层品质很高，而且没有晶界的存在，可以用制造碳基芯片。
可这种方式无法量产不说，高纯度的六方碳化硅单晶也主要依赖进口。
这在很大程度上限制了碳基芯片的发展。
华国的专家一直都在想办法解决这个问题，但截止到目前都没有太大的进展。
他们从没有想过，碳化硅还可以这样用，而且真相距离他们可以说仅有一步之遥。
想明白这些话，蹲守在屏幕前的专家望着直播间的那道人影叹了口气。
从这件事上，他们再次看到自己和对方的差距，看到了科技上，以及两边对于某些材料性质认知上的差距。
有时候他们距离终点可能就只有一步之遥，但往往这一步上堵塞着大量的杂物。
他们在搬离这些杂物的过程中浪费了大量的时间，而对方却直接‘一把火’将这些杂物垃圾直接烧掉了。
这个比喻虽然有些不恰当，但可以说很是形象了。
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